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FQI4N90TU |
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | Fairchild Semiconductor | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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FQI4N90TU参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK 包装数量:50 包装形式:管件 PDF资料下载: ![]() PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):900V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 欧姆 @ 2.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V 功率 - 最大值:3.13W 安装类型:通孔 |
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热门型号: 功率,高于 2 安G2R-14-T130-AC24 压接器,施用器,压0634540130 嵌入式 - FPGM1A3P250-2PQG208I 圆形MS3472L24-31PY 逻辑 - 栅极和逆74LVC1G86SE-7 陶瓷电容器GMK325BJ225KN-T 圆形MS27497T20F41PA RF 收发器MC33696FCE LED 电源LDB200-024SW Card EdgeRCC15DRYS |